MC9S08RD16 是低成本、高性能的HCS08 系列 8 位微控制器单元（MCU）的成员之一。该系列的所有 MCU 均采用增强型 HCS08 内核，并提供多种模块、内存大小、类型和封装形式。　Flash存储单元中所存储的数据是0还是1，是完全由存储单元的电学性能决定的。这样，要读出其中的数据，就只能通过电学的方法。当前的不少芯片，都设计有加密功能，在芯片数据写入之后，可以通过加密使得数据无法读出。要想得到已加密芯片内部存储的数据，需要对芯片进行反向分析，弄清楚芯片的加密原理，再针对性的对芯片做相应的解密操作（比如FIB电路修改），去除芯片的加密功能，然后读出其中数据。这就完成MC9S08RD16芯片解密了。

MC9S08RD16技术特性

电池寿命延长技术：

多种电源管理模式，包括低至 100 nA 的关断电流（电压 2V）

可选择采用内部定时器和内部振荡器的自动唤醒功能，当电压为 2V 时，其典型电流为 700 nA

1.8 V ～ 3.6 V 运行

需要时可以实现的高性能：

电压低至 1.8 V 时，最小指令周期达 125nsec（8 MHz 总线）

创新的内置触发/跟踪调试功能：

单线式背景调试模式

具有 9 种触发模式和 3 个断点的追踪功能

8 MHz 内部总线频率

具有块保护和加密功能的 16 K 字节 FLASH 存储器

1 K 字节的内置随机存取存储器（RAM）

能采用晶体或谐振器工作的低功耗振荡器，频率为 1 ~ 16 MHz

串行通信接口模块（SPII）

双通道、16 位定时器/脉宽调制器模块，每个通道都可选作输入捕捉、输出比较和边缘或中心对齐的 PWM 功能

在 1.8V 电压下可选择低电压检测/复位，还有低电池电压报警

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