Flash存储单元中所存储的数据是0还是1，是完全由存储单元的电学性能决定的。这样，要读出其中的数据，就只能通过电学的方法。当前的不少芯片，都设计有加密功能，在芯片数据写入之后，可以通过加密使得数据无法读出。要想得到已加密芯片内部存储的数据，需要对芯片进行反向分析，弄清楚芯片的加密原理，再针对性的对芯片做相应的解密操作（比如FIB电路修改），去除芯片的加密功能，然后读出其中数据。

组合层叠式存储器概述

组合层叠式ComboMemory 存储器产品是高度集成的方案,在单个或多芯片封装中组合了SST的SuperFlash技术和静态RAM。这些器件对于那些既需要flash和SRAM又受到空间限制的应用是理想的选择,如手机、传呼机、便携式消费电子产品、移动通信和和手持GPS设备等。组合层叠式ComboMemory 存储器系列包括二个产品系列：

32 系列：Flash和SRAM或者PSRAM集成到单个多芯片封装(MCP)，例如SST32HF802。

34 系列：双Bank Flash和SRAM或者PSRAM集成到一个多芯片封装(MCP)，例如SST34HF162G。

以下是SST34HF162G芯片解密特性分析，供广大客户参考借鉴。

SST34HF162G特性

Flash组织：1M X16

- 16Mbit；12Mbit+4Mbit

并发操作

- 在擦除/编程Flash的同时对SRAM进行读写操作

SRAM机构：

- 2Mbit：128K X16

单2.7-3.3V的读取和写入操作

卓越的可靠性

- 耐力：100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存期

低功耗（典型值@ 5 MHz时）

- 工作电流：Flash 10 mA（典型值），SRAM 6 mA（典型值）

- 待机电流：10μA（典型值）

硬件扇区保护（WP＃）

- 保护4个最外层的大映射持有WP＃低，解除保护的扇区（4千字）持有WP＃高

硬件复位引脚（RST＃）

- 复位内部状态机来读取数据阵列

扇区擦除功能

- 统一2千字扇区

块擦除功能

- 统一32千字块

读取访问时间

- Flash：70 ns

- SRAM：70 ns

擦除暂停/擦除恢复功能

锁存地址和数据

快速擦除和字编程（典型值）：

- 扇区擦除时间：18ms

- 块擦除时间：18ms

- 芯片擦除时间：35ms

- 编程时间：7μs

自动写时序

- 内部VPP生成

结束写检测

- 触发位

- 数据＃轮询

CMOS I/ O兼容性

JEDEC标准指令集

封装可供选择

- 48球LFBGA（6mm×8mm）

- 48球LBGA（10mm×12mm）

- 无铅封装（无铅）

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